半導体ニュース 20260227

主要ニュース

1. NVIDIA、過去最高の売上高を記録しAI投資バブル懸念を払拭
   NVIDIAの2026年会計年度第4四半期の売上高は前年同期比73パーセント増、通期でも65パーセント増となり過去最高を更新しました。好調な四半期決算と高いガイダンスを示したことで、市場で囁かれていたAI投資バブルへの懸念を和らげる結果となりました。一方で、米国株市場ではAI不安からNVIDIA株が一時6パーセント安となるなど、投資家の間で期待と警戒が交錯する動きも見られます。
2. サムスン、2D NAND事業から撤退し最先端DRAM生産へ転換
   サムスン電子は、最終となる2D NANDの生産ラインを早ければ3月に終了し、同事業から完全に撤退すると報じられました。該当するファワソン（華城）のライン12施設は、次世代の1c DRAMの最終工程工場へと転用される予定です。需要が急増するAI向け高付加価値メモリへの集中を強化し、生産リソースの最適化を図る戦略的な転換と見られます。
3. Apple、メモリ高騰下でSamsungから倍額でDRAMを確保
   世界的なメモリ価格の高騰が続く中、AppleはSamsungからDRAMの供給を従来の倍額で確保したと報じられました。中国製メモリを交渉材料として活用する可能性も検討している模様です。一方、Samsungの次期スマートフォンGalaxy S26では、コスト対策としてDRAMの供給をMicronと50対50で分担する体制をとっており、各社がメモリ調達に苦心しています。
4. SambaNova、Nvidia対抗のAIチップ開発で3億5000万ドルを調達
   AI半導体スタートアップのSambaNova Systemsは、NvidiaのB200を標的とした新たなAI推論チップの開発を進めており、新たに3億5000万ドルの資金調達を実施しました。この新チップは従来の5倍の速度を持つとされています。AIインフラ市場で圧倒的なシェアを誇るNvidiaに対抗し、より高速かつ効率的な推論処理を実現するソリューションで市場参入を狙います。
5. SKハイニックスとSandisk、次世代メモリHBFの標準化を開始
   SKハイニックスとSandiskは、現在主流のHBMの次世代規格と目されるHBF（広帯域幅ファブリック）のグローバル標準化に向けた取り組みを開始しました。HBF市場は2030年までに急激に拡大すると予測されており、大手メモリメーカーによる次世代AIインフラ向けメモリの主導権争いとエコシステム構築が本格化しています。
6. 中国の複数パワー半導体メーカーが3月より10パーセント以上の値上げ
   中国の複数のパワー半導体メーカーが、3月から製品価格を引き上げる方針を明らかにしました。値上げ幅は少なくとも10パーセントに達する見込みです。この価格改定の背景には、原材料コストの上昇と生産能力の逼迫があるとされています。電気自動車や産業機器向けなどでパワー半導体の需要が底堅い中、サプライチェーン全体にコスト上昇の波が及んでいます。
7. 中国チーム、半導体のスター材料研究で重要な技術的突破
   中国の研究チームが、半導体分野におけるスター材料の研究において重要なブレークスルーを達成し、その実証に成功したと報じられました。米国の輸出規制により先進的な半導体技術へのアクセスが制限される中、中国は基礎研究や新材料開発に注力しており、自立した半導体サプライチェーン構築に向けた国産化の歩みを着実に進めています。
8. マレーシア政府、Arm社との取引を巡り捜査を開始
   マレーシア当局が、英Arm社との取引に関連する捜査を開始したと報じられました。この捜査は、押収や逮捕、およびそれに伴う政治的な影響を背景に行われている模様です。半導体設計IPで世界を主導するArmが関わる事案だけに、東南アジアにおける半導体産業のハブを目指すマレーシアのビジネス環境や、多国籍企業との関係に影響を与える可能性があります。
9. 日本がインドの半導体産業拡大を支援、製造装置から人材まで
   インドが国を挙げて半導体産業の育成と製造拠点の誘致を進める中、日本がその拡大を牽引する動きを見せています。半導体製造装置の供給から技術者の人材育成に至るまで、幅広い分野で協力体制を構築しています。インドの財政年度予算でも半導体や製造業への重点投資が示されており、日印連携による新たなグローバルサプライチェーンの構築が期待されます。
10. ローム、GaNパワー半導体の一貫生産体制構築へTSMCと提携
    日本の半導体メーカーであるロームは、次世代の化合物半導体であるGaN（窒化ガリウム）パワー半導体のグループ内一貫生産体制を構築するため、世界最大のファウンドリであるTSMCと技術ライセンス契約を締結しました。高効率な電力変換を可能にするGaNデバイスの需要拡大を見据え、世界トップレベルの製造技術を取り入れることで量産競争力の強化を図ります。

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